Notebookcheck Logo

A Micron DDR5 moduljai elérik a 9200MT/s sebességet EUV litográfiával

A Micron bemutatja 1γ csomópontú DDR5 memóriáját 9200MT/s sebességgel és jobb energiahatékonysággal. (Kép forrása: Micron)
A Micron bemutatja 1γ csomópontú DDR5 memóriáját 9200MT/s sebességgel és jobb energiahatékonysággal. (Kép forrása: Micron)
A Micron elsőként szállítja az EUV litográfiával készült DDR5 modulokat az új 1 gamma node-on. Az áttörés 15 százalékkal gyorsabb, akár 9200MT/s sebességet biztosít, miközben az energiafogyasztás 20 százalékkal csökken és a sűrűség 30 százalékkal nő.
Laptop / Notebook Smartphone Tablet

Micron technológia az első memóriagyártó, amely a hatodik generációs, 10 nm-es osztályú DRAM-csomóponton, más néven 1γ (1-gamma) épített DDR5 modulok mintaegységeit szállította. A Micron most először alkalmaz EUV (extrém ultraibolya) litográfiát a gyártási folyamatában, ami figyelemre méltó előnyökkel jár a sebesség, az energiahatékonyság és a gyártási hozam terén.

Ennek az új megközelítésnek köszönhetően a Micron 16 GB DDR5 IC-i akár 9200MT/s sebességet is elérhetnek. Ez a korábbiakhoz képest 15 százalékos teljesítménynövekedést jelent 1β (1-béta) generációhoz képest, miközben az energiafogyasztás több mint 20 százalékkal csökken. Ráadásul a frissített gyártási technika több mint 30 százalékkal nagyobb bitsűrűséget biztosít, ami segíthet a költségek csökkentésében, amint a gyártási folyamat kiforrottá válik.

"A Micron saját DRAM-technológiák kifejlesztésében szerzett szakértelme, valamint az EUV litográfia stratégiai alkalmazása a legkorszerűbb 1γ-alapú memóriatermékek robusztus portfólióját eredményezte, amely a mesterséges intelligencia ökoszisztémájának előrelendítését szolgálja" - mondta Scott DeBoer, a Micron ügyvezető alelnöke, technológiai és termékigazgatója.

A Micron tervei szerint az 1γ csomópontot a jövőbeni memóriamegoldások széles skáláján fogja használni, többek között:

Adatközponti alkalmazások: Akár 15 százalékkal gyorsabb teljesítményt kínál a jobb energiahatékonyság mellett, hogy az energiafogyasztás és a hőfogyasztás kordában maradjon.

Mobil eszközök: Az LPDDR5X változatok támogatni fogják az élvonalbeli AI-élményeket közvetlenül az okostelefonon vagy táblagépen.

Autóipari rendszerek: Az akár 9600MT/s sebességgel futó LPDDR5X bővíti a kapacitást, meghosszabbítja a termékek élettartamát és erősebb teljesítményt nyújt.

Az AMD és az Intel is megkezdte már a Micron új DDR5-ös termékcsaládjának validálását. Amit Goel, az AMD szerverplatform-megoldások tervezéséért felelős vállalati alelnöke kiemelte, hogy ez az együttműködés hogyan illeszkedik a vállalat azon erőfeszítéseihez, hogy folyamatosan tökéletesítse EPYC processzorait és a fogyasztóorientált hardvereket. Eközben Dr. Dimitrios Ziakas az Inteltől a jobb energiahatékonyságra és a nagyobb sűrűségre hívta fel a figyelmet, amely a szerverkörnyezetek és az AI-vezérelt PC-k javára válik.

Jelenleg a Micron ezeket az 1γ DRAM chipeket japán létesítményeiben gyártja, ahol a vállalat 2024-ben bevezette első EUV litográfiai rendszerét. A termelés felfutásával a Micron további EUV-berendezések telepítését tervezi a japán és tajvani telephelyein.

Forrás(ok)

Micron (angolul)

Please share our article, every link counts!
Mail Logo
> Magyarország - Kezdőlap > Newsarchive 2025 02 > A Micron DDR5 moduljai elérik a 9200MT/s sebességet EUV litográfiával
Nathan Ali, 2025-02-27 (Update: 2025-02-27)